瞬時功率測量

使用多端口光功率計進行瞬時功率測量：通過測量光功率電平變化以確定光纖切換時間，從而觀察光纖移動或網(wǎng)絡(luò)重新配置所帶來的瞬時波動，這已經(jīng)超出了大多數(shù)光功率計的設(shè)計功能。這些傳統(tǒng)光功率計通常僅用于對光功率電平 (常數(shù)或與其他儀器同步變化) 進行校準(zhǔn)測量..

2022-01-18

光學(xué)測量儀器分類

光學(xué)測量的被測件進行分類，主要分為3類：有源器件，無源器件，高速通信。有源器件主要有：調(diào)制器，發(fā)送器，接收機，放大器，MUX/DEMUX，光電和電光轉(zhuǎn)換器，以及激光源。無源器件主要...

2022-01-18

在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要性

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，“大數(shù)據(jù)分析”作為新的增長市場而備受期待。這是因為進行大數(shù)據(jù)分析時，除了微處理器之外，還需要高速且容量大的新型存儲器。在《日經(jīng)電子》主辦的研討會上，大學(xué)教授竹內(nèi)健談到了這一點

2022-01-18

材料問題

電子組件進入納米等級后，在材料方面也開始遭遇到一些瓶頸，因為原來使用的材料性能已不能滿足要求。簡單的一個例子，是所謂的閘極介電層材料；這層材料的基本要求是要能絕緣，不讓電流通過。使用的是由硅基材氧化而成的二氧化硅，在一般狀況下這是一個非常好的絕緣材料。

2022-01-18

另外一項重要的單元制程是蝕刻，這有點像是柏油路面的刨土機或鉆孔機，把不要的薄層部分或挖一個深洞。只是在半導(dǎo)體制程中，通常是用化學(xué)反應(yīng)加上的電漿，而不是用機械的方式。在未來的納米蝕刻技術(shù)中，有一項深度對寬度的比值需求是相當(dāng)于要挖一口 100 公尺的深井，挖完之后再用三種不同的材料填滿深井，可是每一層材料的厚度只有 10 層原子或分子左右。這也是技術(shù)上的一大挑戰(zhàn)。

2022-01-18

曝光顯影

在所有的制程中，關(guān)鍵的莫過于微影技術(shù)。這個技術(shù)像照相的曝光顯影，要把 IC 工程師設(shè)計好的藍圖，忠實地制作在芯片上，需要利用曝光顯影的技術(shù)。在現(xiàn)今的納米制程上，不只要求曝光顯影出來的圖形是幾十納米的大小，還要上下層結(jié)構(gòu)在 30 公分直徑的晶圓上，對準(zhǔn)的準(zhǔn)確度在幾納米之內(nèi)。這樣的程度相當(dāng)于在中國大陸的面積上，每次都能找到一顆玻璃彈珠。因此這個設(shè)備與制程在半導(dǎo)體工廠里是復(fù)雜、也是昂貴的。半導(dǎo)體技術(shù)進入納米時代后，除了水平方向尺寸的微縮造成對微影技術(shù)的嚴苛要求外，在垂直方向的要求也同樣地嚴格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2 納米，而且在整片上的誤差小于 5%。這相當(dāng)于在100個足球場的面積上要很均勻地鋪上一層約1公分厚的泥土，而且誤差要控制在 0.05 公分的范圍內(nèi)。

2022-01-18

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瞬時功率測量

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材料問題

蝕刻

曝光顯影